第六百二十三章 应变硅(3)
作者:周硕      更新:2023-03-23 07:56      字数:3023
p;“我想起来了,说的是一种把硅原子拉长的技术吧?硅原子拉长之后,减少了单位长度上的硅原子数量,进而提高了电子的通过速度。”

  “没错,就是这个应变硅技术。我计算过,如果能够把晶体管扭曲度提高15,那漏电问题就能改善25,晶体管的响应速度提升30!”

  “但是现在的应变硅技术,只能把晶体管扭曲度提高5……”

  周硕胸有成竹的笑道:“那是因为你们使用的材料方向不对,如果陈博士相信我,你可以试试硅锗材料的压应变方式,或许会有意想不到的效果呢?”

  在后世应变硅技术早就已经是芯片制造的基础技术了,工艺达到65nm以下的芯片,肯定都要有应变硅来制作,否则散热和功耗简直让人无法忍受。intel后来为了改善漏电问题,除了使用应变硅技术,甚至还全面革新了晶体管闸极介质的材料,在这一块的投入相当巨大。

  周硕相信自己这么早就把成熟的应变硅技术拿出来,制作出来的芯片甚至能比intel还要高上一截。如果再搭配铜互联技术,恐怕一块手机的芯片技术都要比intel的电脑cpu还高了。在2001年生产出arm10水平的处理器,主频达到300mhz,这可肯定就是当之无愧的机皇了吧?

  “硅锗材料?”陈爱华下意识的点了点头,周硕在技术上的直觉早就已经得到无数次的证实。他虽然不是专业的研发人员,但谁敢轻视他选择的方向呢?

  反正只是一个应变硅研究,硅锗材料的技术也没有太难,姑且一试吧。

  陈爱华心中忐忑的想道。r1152( )