�子核，这东西是在无规则运动的，说不定就跑出去了。同时，因为距离更近，这意味着在里面运动的电子也容易跑出去，这就是漏电，会导致运算错误。

  可以说，这些东西已经在慢慢地到达极限。

  “其实，到了65纳米，我们就很难让栅极的介电质继续缩减变薄，继续发展下去，晶体管的尺寸要进一步缩小，源极和漏极也靠得更近了，如果不能解决栅极向下的漏电问题以及源极和漏极之间的漏电问题，那我们的45纳米工艺就将成为空中楼阁，我们也将丧失自己的优势。”倪老说道。

  随着晶体管工艺的不断提升，组成半导体的材料已经达到了它的物理电气特性的极限。首先承受不住的就是组成晶体管的栅极氧化物：栅极介电质。

  现有的工艺都是采用二氧化硅层作为栅极介电质，如果不能找到新的材料，就无法解决这个问题。

  其他的问题也很严重，当然了，秦涛听不懂，但是他知道，这个办法肯定是能解决的，因为后世的芯片工艺还在继续发展。

  “不管付出多大代价，也要继续推进芯片工艺的进步。”秦涛说道：“不要怕投入研发成本，如果研发太高，支撑不住，随时向总公司求援，要多少钱就给你们拨多少钱。”

  已经领先了，不能因为原地踏步被对手追赶啊。

  倪老点头：“应该还不用，现在咱们的芯片产业是盈利的，中芯国际给amd等大公司代工，也赚了很多钱。目前遇到的问题是技术上的，我想我们还是能解决的。”

  “那就好。”

  “不过继续向下发展就很难了，我们除了继续寻找更先进的材料来提升工艺之外，还计划换赛道。”

  秦涛的眼睛又明亮起来：“什么赛道？”

  “3d堆叠。”倪老说道：“自从第一个芯片诞生，也包括大名鼎鼎的摩尔定律，都是在二维层面上展开的，我们研究的都是如何在一块芯片表面刻蚀更多的晶体管，随着技术的不断发展，晶体管数量不可能继续按照摩尔定律来发展，迟早都会碰到物理极限，所以，我们就需要从二维向三维展开，在z轴上发展。”

  秦涛点头：“说得好！”

  未雨绸缪，提前研究新的技术，这才是最重要的，己方的芯片发展是最快的，己方会引领潮流，一方面改进现有技术，一方面研究其他技术，齐头并进，这样才能有备无患。

  3d堆叠技术，是芯片工艺制程发展到极限之后，转变赛道的一种技术，当一块芯片上做出来足够多的晶体管，每个晶体管只有几个硅原子的时候，那就再也无法继续提升性能了。

  到了这个时候，就需要全新的技术，在这个屏幕上盖一个新的芯片，叠放在一起，这就是3d堆叠。

  说得再简单一些，3d堆叠技术，就是在原本的封装体里面，封装进两个以上的芯片，但是不改变原本的封装体积大小，只是在垂直方向进行的芯片叠放。

  这个技术秦涛是听说过的，最先使用这种技术的不是处理器，而是内存。毕竟内存行业更加内卷，当他们发现无法用传统2d技术来制造容量更大的芯片的时候，就开始用到了3d堆叠，而且第一代3d dram就能达到28层堆叠的能力，到了后来，甚至还有几百层的堆叠，让人眼花缭乱。

  当内存已经普遍3d堆叠的时候，处理器才开始用这种技术。

  在后世，当某为被科技巨头打压，无法获得先进制程的时候，走的也是这条路，研发�